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《半導體新聞摘要》創新鐵電電晶體取得重大突破

發布日期:2024.03.01

《半導體新聞摘要》

  由台灣師範大學物理學系藍彥文教授、陸亭樺教授領導的團隊,最近開發出基於二維材料「二硫化鉬」的創新鐵電電晶體,於鐵電材料領域取得重大突破。

  團隊以此創造出厚度僅 1.3 奈米的鐵電材料半導體元件,不僅解決尺寸縮小與功耗降低的技術難題,製程也採用目前工業界廣泛應用的技術,與工業製程標準高度相容,有望成為先進半導體技術核心,提升台灣半導體國際競爭力,未來應用優勢包含非揮發性記憶體(non-volatile memory)、低功率電子元件(low-power electronics)等。

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  圓代工龍頭台積電於 2 月 19 日在國際固態電路大會 ISSCC 2024 上介紹用於高效能運算 (HPC)、人工智慧晶片的全新封裝平台,在已有 3D 封裝、HBM 高頻寬記憶體的基礎上,再整合進矽光子技術,將可改善連結效果、並且節省功耗。

  這一全新封裝技術的商業化時間。目前最先進的晶片可容納多達 1,000 億個電晶體。但對於人工智慧應用來說,3D 封裝技術可以擴展至單顆晶片包含 1 兆個電晶體,屆時將能強化人工智慧晶片的運作效能。

新聞來源

https://technews.tw/2024/02/21/ferroelectric-material-st-3r-mos2-fes-fet-transistor/?fbclid=IwAR3fZHRbBSAS9AED6kLhXyUTSt_rXdEPGnVAHI79ryynJMOr06w14WXTHdA

https://finance.technews.tw/2024/02/21/tsmc-showcases-integrated-silicon-photonics-advanced-packaging/?fbclid=IwAR3jscz_C6C00XUnBts_dny3KUzxzBoEXue4qwnuiorUffs7XrY-_KdL_pU